在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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GS8128036GT-333 | GSI | 2.5/3.3V 4M x 36 144M | 0 | 15 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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GS8128036GT-333I | GSI | 2.5/3.3V 4M x 36 144M | 0 | 15 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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GS8128036GT-333V | GSI | 1.8/2.5V 4M x 36 144M | 0 | 15 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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封装 | TQFP-100 |
电源电压-最大 | 3.6 V |
安装风格 | SMD/SMT |
最大时钟频率 | 333 MHz |
接口类型 | Parallel |
电源电压-最小 | 2.3 V |
最小工作温度 | 0 C |
组织 | 4 M x 36 |
访问时间 | 4.5 ns |
电源电流—最大 | 440 mA, 590 mA |
存储容量 | 144 Mbit |
最大工作温度 | + 85 C |
包装 | Tray |
生命周期 | Active |
内存密度 | 150.9949Mbit |
内存宽度 | 36 |
组织 | 4MX36 |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5V |
最长访问时间 | 4.5ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 333MHz |
内存集成电路类型 | CACHESRAM |
I/O 类型 | CONFIGURABLE |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
字数代码 | 4000000 |
字数 | 4.1943M |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
可输出 | YES |
并行/串行 | PARALLEL |
反向引出线 | NO |
最小待机电流 | 2.3V |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3V |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
JESD-30 代码 | R-PQFP-G100 |
最高工作温度 | 85°C |
端子数量 | 100 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LQFP |
封装等效代码 | TQFP100,.4X.6,26 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK,LOWPROFILE |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 650µm |
端子位置 | QUAD |
座面最大高度 | 1.6mm |
长度 | 20mm |
宽度 | 14mm |
包装说明 | LQFP,TQFP100,.4X.6,26 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |