在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GS81282Z18GB-200I | GSI | 2.5/3.3V 8M x 18 144M | 0 | 10 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| GS81282Z18GB-200IV | GSI | 1.8/2.5V 8M x 18 144M | 0 | 10 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | BGA-119 |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大时钟频率 | 200 MHz |
| 接口类型 | Parallel |
| 电源电压-最小 | 2.3 V |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 组织 | 8 M x 18 |
| 访问时间 | 6.5 ns |
| 电源电流—最大 | 310 mA, 380 mA |
| 存储容量 | 144 Mbit |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 包装 | Tray |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Memory Density | 150.9949Mbit |
| Memory Width | 18 |
| Organization | 8MX18 |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.5V |
| Access Time-Max | 6.5ns |
| Clock Frequency-Max (fCLK) | 200MHz |
| Memory IC Type | ZBTSRAM |
| I/O Type | COMMON |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Ports | 1 |
| Number of Words Code | 8000000 |
| Number of Words | 8.3886M |
| Operating Mode | SYNCHRONOUS |
| Output Characteristics | 3-STATE |
| Output Enable | YES |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Standby Current-Max | 100A |
| Standby Voltage-Min | 2.3V |
| Supply Current-Max | 400µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 2.7V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.3V |
| Technology | CMOS |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B119 |
| Operating Temperature-Max | 100°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 119 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | BGA |
| Package Equivalence Code | BGA119,7X17,50 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | GRIDARRAY |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Seated Height-Max | 1.99mm |
| Length | 22mm |
| Width | 14mm |
| Ihs Manufacturer | GSITECHNOLOGY |
| Package Description | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | 3A991.B.2.B |
| HTS Code | 8542.32.00.41 |
| Date Of Intro | 2017-10-10 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
| 1843606 | PHOENIX | 756 | 1.928640 |
| 1984031 | PHOENIX | 510 | 3.977820 |
| 1803565 | PHOENIX | 290 | 12.657680 |
| IS42S16800F-7BLI | ISSI | 226 | 19.051200 |
| FN2080-1-06 | SCHAFFNER | 48 | 139.650000 |
| FM24V02A-GTR | CYPRESS | 25 | 24.170760 |
| CY8C4025LQI-S412 | CYPRESS | 10 | 45.276000 |
| FM24C04B-GTR | CYPRESS | 10 | 16.146480 |
| DF50A-4S-1C | HIROSE | 5 | 0.490000 |
