在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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HA17358BFEL-E | TD/钍地半导体 | 0 | 2500 盘 | 中国内地:2-4工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Obsolete |
最大输入失调电压 | 5mV |
最大压摆率 | 2mA |
功能数量 | 2 |
放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
技术 | BIPOLAR |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 200nA |
频率补偿 | YES |
低-失调 | NO |
电源 | +-1.5/+-18/3/36V |
供电电压上限 | 18V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
最小电压增益 | 17780 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
包装方法 | TAPEANDREEL |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20052 | 31.785495 |
MC34072G-S08-R | UTC | 11490 | 0.517830 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 4805 | 62.007687 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 934 | 23.969337 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
LM324DT | ST/意法 | 11 | 2.160000 |