在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HA17555F-EL-E | RENESAS/瑞萨 | 5000 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 | |
| HA17555F-E | RENESAS/瑞萨 | HA17555 - Precision Timer | 5 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Surface Mount | YES |
| Analog IC - Other Type | PULSE;RECTANGULAR |
| Technology | BIPOLAR |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 16V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.5V |
| Temperature Grade | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 75°C |
| Operating Temperature-Min | -20°C |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | NICKELPALLADIUMGOLD |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 4.85mm |
| Seated Height-Max | 2.03mm |
| Width | 4.4mm |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | FP-8D |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Source Content uid | HA17555F-E |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 表面贴装 | YES |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | PULSE;RECTANGULAR |
| 技术 | BIPOLAR |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 (Vsup) | 16V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5V |
| 温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 75°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | NICKELPALLADIUMGOLD |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 4.85mm |
| 座面最大高度 | 2.03mm |
| 宽度 | 4.4mm |
| 包装说明 | FP-8D |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| DS1302Z+T&R | MAXIM | 287 | 12.073600 |
| 74HC4046AD,653 | NEXPERIA | 130 | 1.606872 |
| DS1339U-33+T&R | MAXIM | 95 | 12.983040 |
| CY2304SXI-1 | CYPRESS | 26 | 15.288000 |
| DS3231MZ+TRL | MAXIM | 23 | 58.207756 |
| CY2308SXI-2 | CYPRESS | 20 | 43.276800 |
| DS12C887+ | MAXIM | 15 | 98.527616 |
| DS3231SN#T&R | MAXIM | 11 | 18.500520 |
| CY2308ZXC-1HT | CYPRESS | 10 | 10.976000 |
| CY2305SXI-1T | CYPRESS | 2 | 38.808000 |
