在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HCF4094M013TR | ST/意法 | 0 | 2500 | 中国内地：2-4工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 传播延迟（tpd） | 840ns |
| 功能数量 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 表面贴装 | YES |
| 封装代码 | SOP |
| 最大频率@ Nom-Sup | 1.25MHz |
| 负载电容（CL） | 50pF |
| 计数方向 | RIGHT |
| 触发器类型 | POSITIVEEDGE |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| 逻辑集成电路类型 | SERIALINPARALLELOUT |
| 技术 | CMOS |
| 其他特性 | PARALLELOUTPUTISLATCHED |
| 最小 fmax | 3MHz |
| 输出极性 | TRUE |
| 电源 | 5/15V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 温度等级 | MILITARY |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -55°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 包装方法 | TR |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 9.9mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,SOP16,.25 |
| 针数 | 16 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 49792 | 0.933300 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 8507 | 0.877180 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 905 | 0.142680 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 224 | 0.384990 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |
