在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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HCPL-263N-500E | AVAGO/安华高 | 2000 | 1 卷 | 中国内地:13-14工作日 中国香港:13-14工作日 |
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HCPL-263N-500E | BROADCOM/博通 | 10MBd 2Ch 3mA | 0 | 1000 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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HCPL-263N-000E | BROADCOM/博通 | 10MBd 2Ch 3mA | 0 | 50 管 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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输入 - 输入侧 1/输入侧 2 | 2/0 |
供应商器件封装 | 8-DIP |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
上升/下降时间(典型值) | 42ns,12ns |
共模瞬态抗扰度(最小值) | 15kV/µs |
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) | 100ns,100ns |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
通道数 | 2 |
电流 - 输出/通道 | 50mA |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
电压 - 电源 | 4.5V ~ 5.5V |
电压 - 正向(Vf)(典型值) | 1.3V |
输出类型 | 开集,肖特基箝位 |
数据速率 | 10MBd |
输入类型 | DC |
电压 - 隔离 | 3750Vrms |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
电流 - DC 正向(If) | 10mA |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 34068 | 0.227550 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.642560 |