在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL7800300E | BROADCOM/博通 | 4.5 - 5.5 SV 8 dB | 11300 | 1 卷 | 中国内地：13-14工作日 中国香港：13-14工作日 |
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| HCPL-7800-300E | BROADCOM/博通 | 4.5 - 5.5 SV 8 dB | 194 | 1 | 中国内地：10-13工作日 中国香港：8-11工作日 |
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| HCPL-7800-300E | BROADCOM/博通 | 4.5 - 5.5 SV 8 dB | 3 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 封装 | DIP-8 Gull Wing |
| Vos - 输入偏置电压 | 2 mV |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Bandwidth (3dB)-Nom | 100MHz |
| Supply Current-Max | 16mA |
| Number of Functions | 1 |
| Amplifier Type | ISOLATIONAMPLIFIER |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Common Mode Voltage-Max | 2.8V |
| Isolation Voltage-Min | 3.75kV |
| Power Supplies | 5V |
| Supply Voltage Limit-Max | 5.5V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Voltage Gain-Max | 8.24 |
| Voltage Gain-Min | 7.76 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Number of Terminals | 8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | GWDIP8,.4 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 4.455mm |
| Width | 6.35mm |
| Length | 9.8mm |
| Ihs Manufacturer | AVAGOTECHNOLOGIESINC |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | SOP,GWDIP8,.4 |
| Pin Count | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.33.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | AvagoTechnologies |
| 生命周期 | Active |
| 标称带宽 (3dB) | 100MHz |
| 最大压摆率 | 16mA |
| 功能数量 | 1 |
| 放大器类型 | ISOLATIONAMPLIFIER |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最大共模电压 | 2.8V |
| 最小绝缘电压 | 3.75kV |
| 电源 | 5V |
| 供电电压上限 | 5.5V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 最大电压增益 | 8.24 |
| 最小电压增益 | 7.76 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | GWDIP8,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 4.455mm |
| 宽度 | 6.35mm |
| 长度 | 9.8mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,GWDIP8,.4 |
| 针数 | 8 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 108 | 10.976000 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
