在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 1.8V ~ 5.5V |
| 连接性 | SCI |
| 外设 | LCD,PWM,WDT |
| 供应商器件封装 | 80-QFP(14x14) |
| 速度 | 5MHz |
| 程序存储容量 | 32KB(32K x 8) |
| RAM 容量 | 1K x 8 |
| 封装/外壳 | 80-BQFP |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | HD64F38024 |
| I/O 数 | 51 |
| 工作温度 | -20°C ~ 75°C(TA) |
| 振荡器类型 | 内部 |
| 程序存储器类型 | 闪存 |
| 系列 | H8® H8/300L SLP |
| 核心处理器 | H8/300L |
| 数据转换器 | A/D 8x10b |
| 核心尺寸 | 8 位 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 托盘 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 34068 | 0.227550 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.642560 |