在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 传播延迟(tpd) | 32ns |
| 功能数量 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 表面贴装 | NO |
| 封装代码 | DIP |
| 最大频率@ Nom-Sup | 25MHz |
| 计数方向 | RIGHT |
| 触发器类型 | POSITIVEEDGE |
| 系列 | LS |
| 逻辑集成电路类型 | SERIALINPARALLELOUT |
| 技术 | TTL |
| 最小 fmax | 25MHz |
| 输出极性 | TRUE |
| 电源 | 5V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75V |
| 温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 75°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.06mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 长度 | 19.2mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 36738 | 0.227550 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
| VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |