在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Propagation Delay (tpd) | 25ns |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Bits | 8 |
| Surface Mount | NO |
| Package Code | DIP |
| Max Frequency@Nom-Sup | 25MHz |
| Count Direction | RIGHT |
| Trigger Type | POSITIVEEDGE |
| Family | LS |
| Logic IC Type | PARALLELINSERIALOUT |
| Technology | TTL |
| Additional Feature | SISOOPERATIONALSOAVAILABLE |
| fmax-Min | 25MHz |
| Output Polarity | TRUE |
| Power Supplies | 5V |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 5.25V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 4.75V |
| Temperature Grade | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T16 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 75°C |
| Operating Temperature-Min | -20°C |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Equivalence Code | DIP16,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.06mm |
| Width | 7.62mm |
| Length | 19.2mm |
| Source Content uid | HD74LS166AP |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | DIP |
| Package Description | DIP,DIP16,.3 |
| Pin Count | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 传播延迟（tpd） | 25ns |
| 功能数量 | 1 |
| 位数 | 8 |
| 表面贴装 | NO |
| 封装代码 | DIP |
| 最大频率@ Nom-Sup | 25MHz |
| 计数方向 | RIGHT |
| 触发器类型 | POSITIVEEDGE |
| 系列 | LS |
| 逻辑集成电路类型 | PARALLELINSERIALOUT |
| 技术 | TTL |
| 其他特性 | SISOOPERATIONALSOAVAILABLE |
| 最小 fmax | 25MHz |
| 输出极性 | TRUE |
| 电源 | 5V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75V |
| 温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 75°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.06mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 长度 | 19.2mm |
| 包装说明 | DIP,DIP16,.3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 针数 | 16 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 34068 | 0.227550 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.642560 |
