在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HEF4002BT,653 | NEXPERIA/安世 | 7 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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| HEF4002BT,653 | NXP SEMICONDUCTORS/恩智浦 | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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| HEF4002BT,653 | NXP/恩智浦 | Nexperia HEF4002B - Dual 4-input NOR gate | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 14-SO |
| 逻辑电平 - 高 | 3.5V ~ 11V |
| 逻辑电平 - 低 | 1.5V ~ 4V |
| 不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟 | 40ns @ 15V,50pF |
| 封装/外壳 | 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | 4002 |
| 电路数 | 2 |
| 电流 - 静态(最大值) | 4µA |
| 逻辑类型 | 或非门 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 15V |
| 系列 | 4000B |
| 电流 - 输出高,低 | 3mA,3mA |
| 在线目录 | 4000B |
| 输入数 | 4 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷(TR) |
| 包装 | 剪切带(CT) |
| 包装 | Digi-Reel® |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 49792 | 0.933300 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 8507 | 0.877180 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 905 | 0.142680 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 224 | 0.384990 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |