在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HEF4013BT-Q100J | NEXPERIA/安世 | 53450 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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| HEF4013BT-Q100J | NXP SEMICONDUCTORS/恩智浦 | 1605 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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| HEF4013BT-Q100118 | NEXPERIA/安世 | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 传播延迟(tpd) | 220ns |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 220ns |
| 功能数量 | 2 |
| 位数 | 1 |
| 表面贴装 | YES |
| 封装代码 | SOP |
| 最大频率@ Nom-Sup | 14MHz |
| 负载电容(CL) | 50pF |
| 触发器类型 | POSITIVEEDGE |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| 逻辑集成电路类型 | DFLIP-FLOP |
| 技术 | CMOS |
| 最小 fmax | 20MHz |
| 输出极性 | COMPLEMENTARY |
| 最大电源电流(ICC) | 50mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 筛选级别 | AEC-Q100 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 | SOP14,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | NICKELPALLADIUMGOLDSILVER |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 8.65mm |
| 包装说明 | SOP, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
| 74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 34068 | 0.227550 |
| VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
| 78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
| STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
| 10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
| 43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
| SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
| STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
| 74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.642560 |