在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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功能数量 | 1 |
表面贴装 | NO |
封装代码 | DIP |
最大频率@ Nom-Sup | 5MHz |
负载电容(CL) | 50pF |
计数方向 | UP |
逻辑集成电路类型 | BINARYCOUNTER |
技术 | CMOS |
负载/预设输入 | NO |
最大I(ol) | 360µA |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
电源 | 5/15V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | DIP16,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | DUAL |
包装说明 | DIP,DIP16,.3 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87245 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 75000 | 0.529360 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.592800 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.327180 |
TL494G-S16-R | UTC | 33015 | 0.622200 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3915 | 0.471625 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2802 | 0.504530 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2386 | 0.417040 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |