在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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供应商器件封装 | 14-TSSOP |
逻辑电平 - 高 | 4V ~ 12.5V |
逻辑电平 - 低 | 1V ~ 2.5V |
不同 V,最大 CL 时的最大传播延迟 | 30ns @ 15V,50pF |
封装/外壳 | 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | 4069 |
电路数 | 6 |
电流 - 静态(最大值) | 1µA |
逻辑类型 | 反相器 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
电压 - 电源 | 3V ~ 15V |
系列 | 4000B |
电流 - 输出高,低 | 3.4mA,3.4mA |
输入数 | 6 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
施密特触发器输入 | 无施密特触发器输入 |
汽车质量标准 | AEC-Q100 |
逻辑功能 | 非门 |
元件数量 | 六 |
逻辑芯片系列 | 4000B |
输出电流 | -A |
封装类型 | TSSOP |
产品范围 | 4069 |
电源电压最小值 | 3V |
工作温度最高值 | 125°C |
工作温度最小值 | -40°C |
针脚数 | 14Pins |
电源电压最大值 | 15V |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
74AHCT541PW | NEXPERIA | 49792 | 0.933300 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
74HC4050D | NEXPERIA | 8507 | 0.877180 |
74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 905 | 0.142680 |
74HC02D | NEXPERIA | 224 | 0.384990 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |