在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HEF4555BT,652 | NEXPERIA/安世 | Nexperia HEF4555BT - Decoder/Driver, 4000/14000/40000 Series, True Output, CMOS, PDSO16 | 18390 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| HEF4555BT,652 | NXP SEMICONDUCTORS/恩智浦 | 8758 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| HEF4555BT,652 | NXP/恩智浦 | Nexperia HEF4555BT - Decoder/Driver, 4000/14000/40000 Series, True Output, CMOS, PDSO16 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 16-SO |
| 电路 | 1 x 2：4 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 类型 | 解码器/多路分解器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 在售 |
| 基本零件编号 | 4555 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3V ~ 15V |
| 系列 | 4000B |
| 独立电路 | 2 |
| 电流 - 输出高，低 | 3mA，3mA |
| 电压源 | 双电源 |
| 在线目录 | 4000B |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Propagation Delay (tpd) | 230ns |
| Number of Functions | 2 |
| Surface Mount | YES |
| Package Code | SOP |
| Load Capacitance (CL) | 50pF |
| Family | 4000/14000/40000 |
| Logic IC Type | OTHERDECODER/DRIVER |
| Technology | CMOS |
| Output Polarity | TRUE |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 15V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 3V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e4 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Finish | NICKELPALLADIUMGOLD |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.75mm |
| Width | 3.9mm |
| Length | 9.9mm |
| Source Content uid | HEF4555BT,652 |
| Ihs Manufacturer | NEXPERIA |
| Part Package Code | SOP |
| Package Description | SOP, |
| Pin Count | 16 |
| Manufacturer Package Code | SOT109-1 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Date Of Intro | 1990-01-01 |
| Samacsys Manufacturer | Nexperia |
| ECCN Code | EAR99 |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 传播延迟（tpd） | 230ns |
| 功能数量 | 2 |
| 表面贴装 | YES |
| 封装代码 | SOP |
| 负载电容（CL） | 50pF |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| 逻辑集成电路类型 | OTHERDECODER/DRIVER |
| 技术 | CMOS |
| 输出极性 | TRUE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold(Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 9.9mm |
| 包装说明 | SOP, |
| 制造商包装代码 | SOT109-1 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SOP |
| 针数 | 16 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 49792 | 0.933300 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 8507 | 0.877180 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 905 | 0.142680 |
| 74HC02D | NEXPERIA | 224 | 0.384990 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |
