在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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HF920GSE-Z | MPS/美国芯源 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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拓扑 | 反激 |
电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 10V ~ 24V |
供应商器件封装 | 8-SOIC-7A |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),7 引线 |
故障保护 | 过载,超温,过压,短路 |
控制特性 | 软启动 |
湿气敏感性等级(MSL) | 2(1 年) |
零件状态 | 有源 |
功率(W) | 10W |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
频率 - 开关 | 最高 150kHz |
内部开关 | 无 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 带卷(TR) |
电压 - 击穿 | 900V |
封装 | SOIC-8-7 |
工作电源电流 | 510 uA |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
输出功率 | 9.5 W |
输入/电源电压—最大 | 24 V |
输入/电源电压—最小 | 10 V |
开关频率 | 150 kHz |
拓扑结构 | Flyback |
占空比 - 最大 | 87 % |
系列 | HF920 |
安装风格 | SMD/SMT |
包装 | Reel, Cut Tape |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87245 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 75000 | 0.529360 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.592800 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 28851 | 0.327180 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3915 | 0.471625 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2852 | 0.504530 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2386 | 0.417040 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
TL494G-S16-R | UTC | 1123 | 0.622200 |