在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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HFA1135IBZ | RENESAS/瑞萨 | 2 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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HFA1135IBZ | INTERSIL/英特矽尔 | 0 | 980 管 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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ITSHFA1135IBZ | INTERSIL | 0 | 98 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
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规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
封装类型 | SOIC-8 |
No of Channels | 1 |
Supply Voltage-Max | 11V |
Input Offset Voltage-Max | 5mV |
Gain Bandwidth-Nom | 360MHz |
Slew Rate-Nom | 1.53V/µs |
封装 | SOIC-8 |
工作电源电流 | 7.3 mA |
Ib - 输入偏流 | 15 uA |
Vos - 输入偏置电压 | 5 mV |
SR - 转换速率 | 2300 V/us |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
包装 | Tube |
Part Life Cycle Code | Active |
Input Offset Voltage-Max | 8mV |
Bandwidth (3dB)-Nom | 360MHz |
Slew Rate-Nom | 1530V/us |
Average Bias Current-Max (IIB) | 16.5µA |
Supply Current-Max | 7.3mA |
Common-mode Reject Ratio-Min | 45dB |
Number of Functions | 1 |
Amplifier Type | OPERATIONALAMPLIFIER |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
Neg Supply Voltage-Nom (Vsup) | -5V |
Technology | BIPOLAR |
Architecture | CURRENT-FEEDBACK |
Bias Current-Max (IIB) @25C | 15µA |
Frequency Compensation | YES |
Low-Bias | NO |
Low-Offset | NO |
Micropower | NO |
Neg Supply Voltage Limit-Max | -5.5V |
Power | NO |
Programmable Power | NO |
Supply Voltage Limit-Max | 5.5V |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
Wideband | YES |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
JESD-609 Code | e3 |
Common-mode Reject Ratio-Nom | 48dB |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 85°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Terminals | 8 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | SOP |
Package Equivalence Code | SOP8,.24 |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALLOUTLINE |
Packing Method | TUBE |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTETIN |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 1.27mm |
Terminal Position | DUAL |
Seated Height-Max | 1.75mm |
Width | 3.9mm |
Length | 4.9mm |
Source Content uid | HFA1135IBZ |
Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
Part Package Code | SOICN |
Package Description | SOP,SOP8,.24 |
Pin Count | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.33.00.01 |
Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
Manufacturer Package Code | M8.15 |
最大输入失调电压 | 8mV |
标称带宽 (3dB) | 360MHz |
标称压摆率 | 1530V/us |
最大平均偏置电流 (IIB) | 16.5µA |
最大压摆率 | 7.3mA |
最小共模抑制比 | 45dB |
功能数量 | 1 |
放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
标称供电电压 (Vsup) | 5V |
标称负供电电压 (Vsup) | -5V |
技术 | BIPOLAR |
架构 | CURRENT-FEEDBACK |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 15µA |
频率补偿 | YES |
低-偏置 | NO |
低-失调 | NO |
微功率 | NO |
负供电电压上限 | -5.5V |
功率 | NO |
可编程功率 | NO |
供电电压上限 | 5.5V |
温度等级 | INDUSTRIAL |
宽带 | YES |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
标称共模抑制比 | 48dB |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.24 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
包装方法 | TUBE |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
座面最大高度 | 1.75mm |
宽度 | 3.9mm |
长度 | 4.9mm |
零件包装代码 | SOICN |
包装说明 | SOP,SOP8,.24 |
针数 | 8 |
制造商包装代码 | M8.15 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.33.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20052 | 31.785495 |
MC34072G-S08-R | UTC | 11490 | 0.517830 |
HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 4805 | 62.007687 |
TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 934 | 23.969337 |
TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
LM324DT | ST/意法 | 11 | 2.160000 |