在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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HFBR-1312TZ | AVAGO/安华高 | 3120 | 1 卷 | 中国内地:13-14工作日 中国香港:13-14工作日 |
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HFBR-1312TZ | BROADCOM/博通 | 0 | 84 | 中国内地:12-16工作日 中国香港:9-13工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Active |
标称工作波长 | 1.3µm |
最小工作波长 | 1.27µm |
最大工作波长 | 1.37µm |
数据速率 | 155Mbps |
标称供电电压 | 1.5V |
发射极/检测器类型 | LED |
通信标准 | OC-3,SONET |
光纤类型 | 50/125,MMF |
标称光功率输出 | 22µW |
最大供电电压 | 1.7V |
传输类型 | DIGITAL |
光纤设备类型 | TRANSMITTER |
JESD-609代码 | e3 |
最低工作温度 | -40°C |
最高工作温度 | 85°C |
连接类型 | STCONNECTOR |
安装特点 | THROUGHHOLEMOUNT |
封装形式 | DIP |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN |
主体高度 | 10.2mm |
主体长度或直径 | 29.8mm |
主体宽度 | 12.6mm |
包装说明 | DIP |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | 5A991.B.5.A |
HTS代码 | 8517.62.00.50 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.403320 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 34068 | 0.227550 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.642560 |