在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ICE2A180ZXKLA1 | INFINEON/英飞凌 | AC/DC COOLSET | 24 | 1 | 中国内地：3周 中国香港：14-16工作日 |
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| ICE2A180Z | INFINEON/英飞凌 | 0 | 0 | 中国内地：12-20工作日 中国香港：11-18工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 拓扑 | 反激 |
| 电压 - 电源（Vcc/Vdd） | 8.5V ~ 21V |
| 供应商器件封装 | PG-DIP-7-1 |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线 |
| 故障保护 | 限流，开路，过载，超温，过压 |
| 电压 - 启动 | 13.5V |
| 控制特性 | 软启动 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | ICE2A180 |
| 功率（W） | 29W |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 占空比 | 72% |
| 频率 - 开关 | 100kHz |
| 系列 | CoolSET®F2 |
| 内部开关 | 是 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| 电压 - 击穿 | 800V |
| 输出隔离 | 隔离 |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 标称输入电压 | 15V |
| 最大输入电压 | 21V |
| 最小输入电压 | 8.5V |
| 最大输出电流 | 1A |
| 表面贴装 | NO |
| 切换器配置 | SINGLE |
| 最大切换频率 | 107kHz |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SWITCHINGREGULATOR |
| 控制模式 | CURRENT-MODE |
| 控制技术 | PULSEWIDTHMODULATION |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | OTHER |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T7 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -25°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 7 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP7/8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62mm |
| 长度 | 9.52mm |
| 座面最大高度 | 4.37mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP7/8,.3 |
| 针数 | 7 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
| TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
| TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |
