在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
ICE2QR4765ZXKLA1 | INFINEON/英飞凌 | ICE2QR4765 - Quasi Resonant CoolSET | 0 | 50 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
---|---|
拓扑 | 反激 |
电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 10.5V ~ 27V |
供应商器件封装 | PG-DIP-7 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm),7 引线 |
故障保护 | 限流,过载,超温,过压 |
电压 - 启动 | 18V |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
功率(W) | 31W |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
占空比 | 50% |
频率 - 开关 | 52kHz |
系列 | CoolMOS™,CoolSET™-Q1 |
内部开关 | 是 |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 管件 |
电压 - 击穿 | 650V |
输出隔离 | 隔离 |
生命周期 | Active |
标称输入电压 | 18V |
最大输入电压 | 26V |
最小输入电压 | 9.8V |
最大输出电流 | 3mA |
表面贴装 | NO |
切换器配置 | SINGLE |
最大切换频率 | 65kHz |
其他特性 | ALSOHASCONTROLTECHNIQUEOFRESONANT |
模拟集成电路 - 其他类型 | SWITCHINGCONTROLLER |
控制模式 | CURRENT-MODE |
控制技术 | PULSEWIDTHMODULATION |
功能数量 | 1 |
技术 | BICMOS |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T7 |
JESD-609代码 | e3 |
认证状态 | NotQualified |
端子数量 | 7 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP7/8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
端子面层 | TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 7.62mm |
长度 | 9.435mm |
座面最大高度 | 4.37mm |
包装说明 | DIP,DIP7/8,.3 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
零件包装代码 | DIP |
针数 | 7 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?
据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分,利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点,头部ODM厂商业绩有哪些最新看点?
商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87293 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 29251 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 25007 | 0.617320 |
TL431G-AE3-R | UTC | 12027 | 0.154980 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5933 | 0.666380 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3942 | 0.469500 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2556 | 0.619190 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 1016 | 0.805090 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 520 | 0.692120 |