在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ICL7660ISA+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 100 | 中国内地：3-5周 |
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| ICL7660ISA+_R | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 100 | 中国内地：3-5周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 拓扑 | 充电泵 |
| 功能 | 比率 |
| 电流 - 输出 | 20mA |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 同步整流器 | 无 |
| 电压 - 输入（最小值） | 1.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 电压 - 输出（最小值/固定） | -Vin, nVin, Vin/2 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | ICL7660 |
| 工作温度 | -20°C ~ 85°C（TA） |
| 输出配置 | 正或负 |
| 频率 - 开关 | 10kHz |
| 输出类型 | 固定 |
| 电压 - 输入（最大值） | 10V |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 管件 |
| 输出数 | 1 |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称输入电压 | 5V |
| 最大输入电压 | 10V |
| 最小输入电压 | 1.5V |
| 最大输出电流 | 20mA |
| 最大供电电流 (Isup) | 175µA |
| 表面贴装 | YES |
| 切换器配置 | DOUBLERINVERTER |
| 最大切换频率 | 10kHz |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SWITCHEDCAPACITORCONVERTER |
| 功能数量 | 1 |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 3.9mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 座面最大高度 | 1.75mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 75000 | 0.529360 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.592800 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
| TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2802 | 0.504530 |
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2356 | 0.417040 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
