在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
---|
规格参数 | |
---|---|
Part Life Cycle Code | Obsolete |
Output Voltage-Nom | 1.23V |
Surface Mount | NO |
Trim/Adjustable Output | NO |
Technology | BIPOLAR |
Temperature Grade | MILITARY |
Voltage Tolerance-Max | 2% |
JESD-609 Code | e0 |
Qualification Status | NotQualified |
Operating Temperature-Max | 125°C |
Operating Temperature-Min | -55°C |
Number of Terminals | 2 |
Package Body Material | METAL |
Package Equivalence Code | SIP2,.1 |
Terminal Finish | Tin/Lead(Sn/Pb) |
Terminal Pitch | 2.54mm |
Terminal Position | SINGLE |
Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
Package Description | ,SIP2,.1 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
生命周期 | Obsolete |
标称输出电压 | 1.23V |
表面贴装 | NO |
微调/可调输出 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
最大电压容差 | 2% |
JESD-609代码 | e0 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -55°C |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | METAL |
封装等效代码 | SIP2,.1 |
端子面层 | Tin/Lead(Sn/Pb) |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | SINGLE |
包装说明 | ,SIP2,.1 |
是否符合REACH标准 | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 75000 | 0.529360 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.592800 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2802 | 0.504530 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2356 | 0.417040 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |