在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| Number of Segments | 7 |
| Data Input Mode | PARALLEL |
| Technology | CMOS |
| Display Mode | SEGMENT |
| Number of Digits/Characters | 4-DIGIT |
| Interface IC Type | LIQUIDCRYSTALDISPLAYDRIVER |
| Multiplexed Display Capability | NO |
| Number of Backplanes | 1-BP |
| Number of Functions | 1 |
| Power Supplies | 5V |
| Supply Current-Max | 50µA |
| Supply Voltage-Max | 6V |
| Supply Voltage-Min | 3V |
| Surface Mount | NO |
| Temperature Grade | OTHER |
| JESD-30 Code | R-GDIP-T40 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -20°C |
| Number of Terminals | 40 |
| Package Body Material | CERAMIC,GLASS-SEALED |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP40,.6 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.89mm |
| Width | 15.24mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | DIP |
| Package Description | CERDIP-40 |
| Pin Count | 40 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 标称供电电压 | 5V |
| 区段数 | 7 |
| 数据输入模式 | PARALLEL |
| 显示模式 | SEGMENT |
| 位数/字符 | 4-DIGIT |
| 技术 | CMOS |
| 接口集成电路类型 | LIQUIDCRYSTALDISPLAYDRIVER |
| 复用显示功能 | NO |
| 底板数 | 1-BP |
| 功能数量 | 1 |
| 电源 | 5V |
| 最大压摆率 | 50µA |
| 最大供电电压 | 6V |
| 最小供电电压 | 3V |
| 表面贴装 | NO |
| 温度等级 | OTHER |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T40 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 端子数量 | 40 |
| 封装主体材料 | CERAMIC,GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.89mm |
| 宽度 | 15.24mm |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | CERDIP-40 |
| 针数 | 40 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 27874 | 0.878400 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 8454 | 0.907680 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74HC4094PW,118 | NEXPERIA | 1399 | 1.144023 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 743 | 0.147600 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |
