在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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ICM7228CIPIZ | RENESAS/瑞萨 | W/ANNEAL DISPLAY 8D DIG LED DRVR IND | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
封装类型 | PDIP-28 |
Supply Voltage | 4V to 6V |
Output Current | 500mA |
No of Digits | 8 |
Display Mode | 7-Segment |
Multiplexed Display Capability | Yes |
工作电源电压 | 4 V to 6 V |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
电源电流—最大 | 450 uA |
系列 | ICM7228 |
安装风格 | Through Hole |
包装 | Tube |
标称供电电压 | 5V |
区段数 | 7 |
显示模式 | SEGMENT |
位数/字符 | 8-DIGIT |
技术 | CMOS |
接口集成电路类型 | LEDDISPLAYDRIVER |
复用显示功能 | NO |
功能数量 | 1 |
最大供电电压 | 5.5V |
最小供电电压 | 4.5V |
表面贴装 | NO |
温度等级 | INDUSTRIAL |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e3 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 28 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 37.4mm |
座面最大高度 | 6.35mm |
宽度 | 15.24mm |
零件包装代码 | PDIP |
针数 | 28 |
制造商包装代码 | E28.6 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
包装说明 | DIP, |
芯片安装 | 通孔安装 |
工作温度最高值 | 85°C |
工作温度最小值 | -40°C |
输出电流最大值 | 500mA |
针脚数 | 28Pins |
IC 外壳 / 封装 | DIP |
输入电压最大值 | 6V |
输出电压最大值 | -V |
输入电压最小值 | 4V |
产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.091506 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 27.315200 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.455532 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 850 | 46.066447 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 717 | 11.203136 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.561024 |