在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ICM7556IPD | HARRIS/哈里斯 | General Purpose RC Timer, 2 Func, 1MHz, PDIP14 | 1840 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| ICM7556IPD | INTERSIL/英特矽尔 | IC,TIMER,CMOS,DIP,14PIN,PLASTIC | 314 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| ICM7556IPD+ | ANALOG DEVICES/亚德诺 | 0 | 25 | 中国内地：3-5周 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装类型 | PDIP-14 |
| 封装 | PDIP-14 |
| 类型 | Standard |
| 电源电压-最大 | 18 V |
| 电源电压-最小 | 2 V |
| 系列 | ICM7556 |
| 最小工作温度 | - 20 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Surface Mount | NO |
| Power Supplies | 5/15V |
| Output Frequency-Max | 500kHz |
| Analog IC - Other Type | SQUARE |
| Technology | CMOS |
| Number of Functions | 2 |
| Supply Current-Max (Isup) | 600µA |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 18V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2V |
| Temperature Grade | OTHER |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T14 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -20°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 14 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Equivalence Code | DIP14,.3 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 19.05mm |
| Seated Height-Max | 4.572mm |
| Width | 7.62mm |
| Ihs Manufacturer | MAXIMINTEGRATEDPRODUCTSINC |
| Part Package Code | DIP |
| Package Description | DIP,DIP14,.3 |
| Pin Count | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 表面贴装 | NO |
| 电源 | 5/15V |
| 最大输出频率 | 500MHz |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SQUARE |
| 技术 | CMOS |
| 功能数量 | 2 |
| 最大供电电流 (Isup) | 600µA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 18V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2V |
| 温度等级 | OTHER |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -20°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 19.05mm |
| 座面最大高度 | 4.572mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP,DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 27874 | 0.878400 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 8454 | 0.907680 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74HC4094PW,118 | NEXPERIA | 1399 | 1.144023 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 743 | 0.147600 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |
