在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ID82C54 | RENESAS/瑞萨 | 10000 | 165 包 | 中国内地：8-16工作日 中国香港：9-18工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| Operating Temp Range | -40°C to +85°C |
| 封装类型 | CERDIP-24 |
| Type | Programmable Timer |
| Supply Voltage-Max | 8V |
| Storage Temperature Range | -65°C to +150°C |
| Supply Current | 10µA |
| Number Of Timers | 1 |
| 封装 | CDIP-24 |
| 类型 | Programmable |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 系列 | 82C54 |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 包装 | Tube |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Number of Bits | 16 |
| External Data Bus Width | 8 |
| Clock Frequency-Max | 8MHz |
| Number of Timers | 3 |
| Surface Mount | NO |
| Supply Voltage-Nom | 5V |
| uPs/uCs/Peripheral ICs Type | TIMER,PROGRAMMABLE |
| Technology | CMOS |
| Information Access Method | PARALLEL,DIRECTADDRESS |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 4.5V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | R-CDIP-T24 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 24 |
| Package Body Material | CERAMIC,METAL-SEALEDCOFIRED |
| Package Code | DIP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | Tin/Lead(Sn/Pb) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 5.72mm |
| Width | 15.24mm |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Part Package Code | CERDIP |
| Package Description | DIP, |
| Pin Count | 24 |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Source Content uid | ID82C54 |
| Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
| Manufacturer Package Code | F24.6 |
| 生命周期 | Active |
| 位数 | 16 |
| 外部数据总线宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 | 8MHz |
| 计时器数量 | 3 |
| 表面贴装 | NO |
| 标称供电电压 | 5V |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | TIMER,PROGRAMMABLE |
| 技术 | CMOS |
| 信息访问方法 | PARALLEL,DIRECTADDRESS |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 24 |
| 封装主体材料 | CERAMIC,METAL-SEALEDCOFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 5.72mm |
| 宽度 | 15.24mm |
| 零件包装代码 | CERDIP |
| 包装说明 | DIP, |
| 针数 | 24 |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 制造商包装代码 | F24.6 |
| 数字集成电路封装 | DIP |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 27874 | 0.878400 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19657 | 0.239120 |
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 16891 | 1.246875 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 8454 | 0.907680 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 5494 | 0.367250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 |
| 74HC4094PW,118 | NEXPERIA | 1399 | 1.144023 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 743 | 0.147600 |
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.187500 |
