在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
0
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IL716ETR13 | NVE | 0 | 0 | 中国内地：3-7工作日 中国香港：5-9工作日 |
查看价格 | |
| IL716E | NVE | 0 | 100 | 中国内地：12-16工作日 中国香港：9-13工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 数据速率 | 110MBPS |
| 通道数 | 4 |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 3.3V |
| Interface IC Type | DIGITALISOLATOR |
| Technology | CMOS |
| Number of Functions | 4 |
| Supply Voltage-Max | 5.5V |
| Supply Voltage-Min | 2.7V |
| Surface Mount | YES |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G16 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Operating Temperature-Max | 100°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 16 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SOP |
| Package Equivalence Code | SOP16,.4 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 10.285mm |
| Seated Height-Max | 2.8mm |
| Width | 7.505mm |
| Ihs Manufacturer | NVECORP |
| Part Package Code | SOIC |
| Package Description | , |
| Pin Count | 16 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| 接口集成电路类型 | DIGITALISOLATOR |
| 技术 | CMOS |
| 功能数量 | 4 |
| 最大供电电压 | 5.5V |
| 最小供电电压 | 2.7V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G16 |
| 最高工作温度 | 100°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP16,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 10.285mm |
| 座面最大高度 | 2.8mm |
| 宽度 | 7.505mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 16 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 输入电平 | CMOS |
| 输出水平 | CMOS |
| MSL | MSL 2 - 1 year |
| 隔离类型 | Magnetic |
| 合规 | 0 |
| 工作温度最小值 | 0 |
| 针脚数 | 0 |
| 工作温度最高值 | 0 |
| 隔离电压 | 0 |
| 电源电压最大值 | 0 |
| 数据率 | 0 |
| 电源电压最小值 | 0 |
| 隔离IC类型 | High Speed Digital Isolator |
| IC 外壳 / 封装 | WSOIC |
| 产品范围 | 0 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年，专注于产品封测和嵌入式存储解决方案，强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控，产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示，今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下，存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一，结合头部厂商最新财报来深度分析，未来存储行业趋势将有何变化？景气市况能否持续？
据知情人士透露，美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证，允许其向中东大规模运送人工智能（AI）加速器，同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分，利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点，头部ODM厂商业绩有哪些最新看点？
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 108 | 10.976000 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
