在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IMP1117AS18X/T | IMP/日银微 | 0 | 0 | 中国内地:2-4工作日 |
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IMP1117AS18X/T | SKHYNIX/海力士 | 0 | 0 | 中国内地:2-4工作日 |
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规格参数 | |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
LM2576T-ADJ | HTC KOREA | 24000 | 4.638238 |
TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
STM809RWX6F | STMICROELECTRONICS | 10000 | 11.797256 |
L78L05ABD13TR | ST | 1153 | 0.351780 |
LM2576HVR-5.0 | HTC KOREA | 400 | 124.675824 |
LM1117S-1.2 | HTC KOREA | 273 | 15.931338 |
ICE3RBR1765JZ | INFINEON TECHNOLOGIES | 22 | 3.932419 |
LM2576HVR-ADJ | HTC KOREA | 19 | 124.675824 |
ICE2QR0665Z | INFINEON TECHNOLOGIES | 7 | 2.722444 |