在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IP4769CZ14,118 | NXP SEMICONDUCTORS/恩智浦 | Verical,85991361 | 2500 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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IP4769CZ14,118 | NXP/恩智浦 | Nexperia IP4769CZ14 - Consumer Circuit | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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FMS6203MTC1406X | FAIRCHILD | 48462 | 12.960675 |
UPC1702HA-A | RENESAS | 38512 | 9.793245 |
FMS6414CSX | FAIRCHILD | 30000 | 8.807715 |
MAX9657AEE+ | MAXIM INTEGRATED | 15990 | 11.435600 |
FMS6418AMTC14 | FAIRCHILD | 8896 | 7.362075 |
NCS2502SNT1G | ON | 5965 | 8.056440 |
FMS6246MTC20 | FAIRCHILD | 5225 | 8.260770 |
FMS6400CS | FAIRCHILD | 3487 | 6.650490 |
5962-9469401MPA | HARRIS | 249 | 202.600440 |
HFA1105IP | HARRIS | 4 | 11.074665 |