在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IPA60R280P7SE8228XKSA1 | INFINEON/英飞凌 | 699750 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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IPA60R280P7S-VB | VBSEMI/微碧半导体 | TO220F;N—Channel沟道,600V;12A;RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V; | 50000 | 50 盒 | 中国内地:2-4工作日 |
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IPA60R280P7S | INFINEON/英飞凌 | 4700 | 200 | 中国内地:8-14工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Active |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | NO |
配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
端子数量 | 3 |
最小漏源击穿电压 | 600V |
元件数量 | 1 |
最大漏极电流 (ID) | 12A |
最大漏源导通电阻 | 280mΩ |
雪崩能效等级(Eas) | 38mJ |
FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
最大功率耗散 (Abs) | 24W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 36A |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
最高工作温度 | 150°C |
最低工作温度 | -55°C |
外壳连接 | ISOLATED |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGEMOUNT |
端子面层 | TIN |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
包装说明 | FLANGEMOUNT,R-PSFM-T3 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC32D | NEXPERIA | 52529 | 0.398520 |
SGM2036-ADJYN5G/TR | SGMICRO | 24481 | 0.206640 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 20441 | 0.236160 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.118637 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.789415 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.726694 |
74HC86D | NEXPERIA | 1568 | 0.546120 |
43045-2402 | MOLEX | 1509 | 52.687957 |
HEF4017BT | NEXPERIA | 289 | 1.024800 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.699200 |