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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
IPA60R280P7SE8228XKSA1 INFINEON/英飞凌 699750 1 中国内地:7-13工作日
中国香港:1-2工作日
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IPA60R280P7S-VB VBSEMI/微碧半导体 TO220F;N—Channel沟道,600V;12A;RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2.5~4.5V; 50000 50 盒 中国内地:2-4工作日
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IPA60R280P7S INFINEON/英飞凌 4700 200 中国内地:8-14工作日
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规格参数
生命周期 Active
极性/信道类型 N-CHANNEL
表面贴装 NO
配置 SINGLEWITHBUILT-INDIODE
端子数量 3
最小漏源击穿电压 600V
元件数量 1
最大漏极电流 (ID) 12A
最大漏源导通电阻 280mΩ
雪崩能效等级(Eas) 38mJ
FET 技术 METAL-OXIDESEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENTMODE
最大功率耗散 (Abs) 24W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 36A
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
最高工作温度 150°C
最低工作温度 -55°C
外壳连接 ISOLATED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGEMOUNT
端子面层 TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
包装说明 FLANGEMOUNT,R-PSFM-T3
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