在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IPN70R1K4P7SATMA1 | INFINEON/英飞凌 | CONSUMER | 2183 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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IPN70R1K4P7SATMA1 | INFINEON/英飞凌 | CONSUMER | 30 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
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IPN70R1K4P7SATMA1-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 3000 | 中国内地:4-8工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Active |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
配置 | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
端子数量 | 3 |
最小漏源击穿电压 | 700V |
元件数量 | 1 |
最大漏极电流 (ID) | 4A |
最大漏源导通电阻 | 1.4Ω |
其他特性 | ESDPROTECTED |
FET 技术 | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENTMODE |
最大功率耗散 (Abs) | 6.2W |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 150°C |
最低工作温度 | -40°C |
外壳连接 | DRAIN |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子面层 | TIN |
端子形式 | GULLWING |
端子位置 | DUAL |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
包装说明 | SOT-223,3PIN |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 20441 | 0.236160 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 1.987586 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.118637 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.779304 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.789415 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.726694 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.896858 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.699200 |
VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |