在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IPW60R280P6 | INFINEON/英飞凌 | N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | 0 | 0 | 中国内地:12-20工作日 中国香港:11-18工作日 |
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IPW60R280P6FKSA1 | INFINEON/英飞凌 | IPW60R280 - Power Field-Effect Transistor | 0 | 1 | 中国内地:3周 中国香港:14-16工作日 |
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规格参数 | |
---|---|
Part Life Cycle Code | Active |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Surface Mount | NO |
Configuration | SINGLEWITHBUILT-INDIODE |
Number of Terminals | 3 |
DS Breakdown Voltage-Min | 600V |
Number of Elements | 1 |
Drain Current-Max (ID) | 13.8A |
Drain-source On Resistance-Max | 280mΩ |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 285mJ |
FET Technology | METAL-OXIDESEMICONDUCTOR |
Operating Mode | ENHANCEMENTMODE |
Power Dissipation-Max (Abs) | 104W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 39A |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
JEDEC-95 Code | TO-247 |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 |
Operating Temperature-Max | 150°C |
Operating Temperature-Min | -55°C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGEMOUNT |
Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE |
Source Content uid | IPW60R280P6 |
Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
Package Description | , |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC32D | NEXPERIA | 52529 | 0.398520 |
SGM2036-ADJYN5G/TR | SGMICRO | 24481 | 0.206640 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 20441 | 0.236160 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.118637 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.789415 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.726694 |
74HC86D | NEXPERIA | 1568 | 0.546120 |
43045-2402 | MOLEX | 1509 | 52.687957 |
HEF4017BT | NEXPERIA | 289 | 1.024800 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.699200 |