在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IR2112PBF | INFINEON/英飞凌 | 3750 | 25 | 中国内地：6-11工作日 |
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| IR2112PBF | INFINEON/英飞凌 | 1481 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| IR2112SPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER/国际整流器 | 0.5 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO16 | 415 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V |
| 供应商器件封装 | 14-DIP |
| 封装/外壳 | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 上升/下降时间（典型值） | 80ns，40ns |
| 通道类型 | 独立式 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 6V，9.5V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 250mA，500mA |
| 零件状态 | 停產 |
| 基本零件编号 | IR2112 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 电压 - 电源 | 10V ~ 20V |
| 输入类型 | 非反相 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
| Part Life Cycle Code | NotRecommended |
| Supply Voltage-Nom | 15V |
| Output Peak Current Limit-Nom | 500mA |
| Turn-off Time | 160ns |
| Turn-on Time | 180ns |
| Interface IC Type | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| Technology | CMOS |
| High Side Driver | YES |
| Number of Functions | 1 |
| Supply Voltage-Max | 20V |
| Supply Voltage-Min | 3.3V |
| Supply Voltage1-Max | 620V |
| Supply Voltage1-Min | 5V |
| Surface Mount | NO |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 Code | R-PDIP-T14 |
| Qualification Status | NotQualified |
| JESD-609 Code | e0 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 14 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | DIP |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE |
| Terminal Finish | TINLEAD |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | DUAL |
| Length | 19.305mm |
| Seated Height-Max | 5.33mm |
| Width | 7.62mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Package Description | DIP-14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 标称供电电压 | 15V |
| 标称输出峰值电流 | 500mA |
| 断开时间 | 160ns |
| 接通时间 | 180ns |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| 技术 | CMOS |
| 高边驱动器 | YES |
| 功能数量 | 1 |
| 最大供电电压 | 20V |
| 最小供电电压 | 3.3V |
| 电源电压1-最大 | 620V |
| 电源电压1-分钟 | 5V |
| 表面贴装 | NO |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T14 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 14 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 端子面层 | TINLEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 19.305mm |
| 座面最大高度 | 5.33mm |
| 宽度 | 7.62mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 包装说明 | DIP-14 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
| TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9049 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| PAM2306AYPKE | DIODES INCORPORATED | 85 | 4.048791 |
