在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IR2235STRPBF | INFINEON/英飞凌 | IR2235S - Gate Driver | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| IR2235STRPBF | IR | IR2235S - Gate Driver | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 1200V |
| 供应商器件封装 | 28-SOIC |
| 封装/外壳 | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 上升/下降时间（典型值） | 90ns，40ns |
| 通道类型 | 3 相 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 驱动器数 | 6 |
| 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 250mA，500mA |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | IR2235SPBF |
| 工作温度 | 125°C（TJ） |
| 电压 - 电源 | 10V ~ 20V |
| 输入类型 | 反相 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| 封装 | SOIC-28 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 输出电流IO | 500 mA |
| 电源电压-最小 | 10 V |
| 电源电压-最大 | 20 V |
| 系列 | IR223X |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品 | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 配置 | High Side, Low Side |
| 类型 | Half-Bridge |
| 包装 | Reel, Cut Tape |
| 生命周期 | Active |
| 标称供电电压 | 15V |
| 标称输出峰值电流 | 500mA |
| 断开时间 | 950ns |
| 接通时间 | 1000ns |
| 接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDMOSFETDRIVER |
| 高边驱动器 | YES |
| 功能数量 | 3 |
| 最大供电电压 | 20V |
| 最小供电电压 | 10V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 28 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 17.9mm |
| 座面最大高度 | 2.65mm |
| 宽度 | 7.5mm |
| 包装说明 | SOP, |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
| TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9049 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| PAM2306AYPKE | DIODES INCORPORATED | 85 | 4.048791 |
