在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IR38164MTRPBFAUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 开关稳压器 B_IFX POL | 4000 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| IR38164MTRPBFAUMA1 | INTERNATIONAL RECTIFIER/国际整流器 | 4000 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| IR38164MTRPBFAUMA1 | INFINEON/英飞凌 | 开关稳压器 B_IFX POL | 10 | 1 | 中国内地：1-2工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Nom | 5V |
| Input Voltage-Max | 16V |
| Input Voltage-Min | 1.5V |
| Output Voltage-Min | 500mV |
| Output Voltage-Max | 14V |
| Output Current-Max | 30A |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 5V |
| Supply Current-Max (Isup) | 50mA |
| Surface Mount | YES |
| Switcher Configuration | BUCK |
| Switching Frequency-Max | 1.5MHz |
| Analog IC - Other Type | SWITCHINGREGULATOR |
| Control Mode | VOLTAGE-MODE |
| Control Technique | PULSEWIDTHMODULATION |
| Number of Functions | 1 |
| Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 Code | R-PQCC-N26 |
| Moisture Sensitivity Level | 2 |
| Operating Temperature-Max | 125°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Number of Terminals | 26 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVQCCN |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Position | QUAD |
| Width | 5mm |
| Length | 7mm |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Ihs Manufacturer | INFINEONTECHNOLOGIESAG |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | Active |
| 标称输入电压 | 5V |
| 最大输入电压 | 16V |
| 最小输入电压 | 1.5V |
| 最小输出电压 | 500mV |
| 最大输出电压 | 14V |
| 最大输出电流 | 30A |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5V |
| 最大供电电流 (Isup) | 50mA |
| 表面贴装 | YES |
| 切换器配置 | BUCK |
| 最大切换频率 | 1.5MHz |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | SWITCHINGREGULATOR |
| 控制模式 | VOLTAGE-MODE |
| 控制技术 | PULSEWIDTHMODULATION |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-N26 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 最高工作温度 | 125°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 端子数量 | 26 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 5mm |
| 长度 | 7mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
| TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9049 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| PAM2306AYPKE | DIODES INCORPORATED | 85 | 4.048791 |
