在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IRAM256-1567A | INFINEON/英飞凌 | IRAM256 - Intelligent Power Modules (IPM) | 1 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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IRAM256-1567A2 | INFINEON/英飞凌 | 0 | 2500 | 中国内地:9-12工作日 中国香港:7-10工作日 |
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IRAM256-1567A | IR | 0 | 1 | 中国内地:8-15工作日 中国香港:7-14工作日 |
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规格参数 | |
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封装/外壳 | 29-PowerSSIP 模块,21 引线,成形引线 |
类型 | IGBT |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 停產 |
配置 | 3 相 |
电流 | 15A |
电压 | 600V |
系列 | iMOTION™ |
电压 - 隔离 | 2000Vrms |
生命周期 | Obsolete |
标称供电电压 (Vsup) | 15V |
表面贴装 | NO |
模拟集成电路 - 其他类型 | ACMOTORCONTROLLER |
技术 | HYBRID |
功能数量 | 1 |
最大供电电流 (Isup) | 3.2mA |
最大供电电压 (Vsup) | 16.5V |
最小供电电压 (Vsup) | 13.5V |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
JESD-30 代码 | R-XZFM-T29 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOTSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
端子数量 | 29 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | ZFM |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | ZIG-ZAG |
包装说明 | ZFM, |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9049 | 0.490000 |
TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
PAM2306AYPKE | DIODES INCORPORATED | 85 | 4.048791 |