在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU9120NPBF | JSMICRO/杰盛微 | 300000 | 80 | 中国内地：4-7工作日 |
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| IRFU9120NPBF-JSM | JSMICRO/杰盛微 | 300000 | 80 | 中国内地：4-7工作日 |
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| IRFU9120NPBF-VB | VBSEMI/微碧半导体 | 50000 | 80 盒 | 中国内地：2-4工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 供应商器件封装 | IPAK（TO-251） |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1（无限） |
| 零件状态 | 停產 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 350pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 系列 | HEXFET® |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6.6A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 480 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 包装 | 管件 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
| TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9049 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| PAM2306AYPKE | DIODES INCORPORATED | 85 | 4.048791 |
