在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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IRL40S212ARMA1-CN | CHIPNOBO/无边界 | 0 | 800 | 中国内地:4-8工作日 |
查看价格 | |
IRL40S212ARMA1 | INFINEON/英飞凌 | 0 | 800 | 中国内地:8-12工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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功率耗散(最大值) | 231W(Tc) |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 150µA |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 在售 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
Vgs(最大值) | ±20V |
漏源电压(Vdss) | 40V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 137nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 8320pF @ 25V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
系列 | StrongIRFET™ |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
FET 类型 | N 沟道 |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 195A(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 1.9 毫欧 @ 100A,10V |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 管件 |
Vgs th-栅源极阈值电 | 1 V |
封装 | TO-252-3 |
安装风格 | SMD/SMT |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流Id | 254 A |
Pd-功率耗散 | 231 W |
通道模式 | Enhancement |
技术 | Si |
晶体管极性 | N-Channel |
商标名 | StrongIRFET |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
最小工作温度 | - 55 C |
Qg-栅极电荷 | 91 nC |
最大工作温度 | + 175 C |
包装 | Reel |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 20441 | 0.236160 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 1.987586 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.118637 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.779304 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.789415 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.726694 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.896858 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.699200 |
VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |