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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
IRL40S212ARMA1-CN CHIPNOBO/无边界 0 800 中国内地:4-8工作日
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IRL40S212ARMA1 INFINEON/英飞凌 0 800 中国内地:8-12工作日
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规格参数
功率耗散(最大值) 231W(Tc)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 150µA
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
零件状态 在售
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Vgs(最大值) ±20V
漏源电压(Vdss) 40V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 137nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8320pF @ 25V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 StrongIRFET™
技术 MOSFET(金属氧化物)
FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 195A(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 1.9 毫欧 @ 100A,10V
安装类型 表面贴装
包装 管件
Vgs th-栅源极阈值电 1 V
封装 TO-252-3
安装风格 SMD/SMT
Vds-漏源极击穿电压 40 V
连续漏极电流Id 254 A
Pd-功率耗散 231 W
通道模式 Enhancement
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
商标名 StrongIRFET
Vgs - 栅极-源极电压 20 V
漏源导通电阻 2.4 mOhms
最小工作温度 - 55 C
Qg-栅极电荷 91 nC
最大工作温度 + 175 C
包装 Reel
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