在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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JA4429-AL | COILCRAFT/线艺 | JA4429 for LT3799 24uH 24 V 1.3 A | 0 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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类型 | Flyback |
频率范围 | 100 kHz |
产品 | Power |
应用 | LT3799 Isolated Led Controller |
高度 | 17.3 mm |
长度 | 21.1 mm |
最小工作温度 | - 40 C |
绝缘电压 | 3 kV |
最大工作温度 | + 85 C |
电感 | 400 uH |
包装 | Tray |
生命周期 | Active |
额定功率 | 24W |
输出电压 1 | 24V |
初级电感 | 400µH |
变压器类型 | SMPSTRANSFORMER |
最大输入电压 | 265V |
最小输入电压 | 85V |
初级绕组数量 | 1 |
次级绕组数量 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -40°C |
安装特点 | THROUGHHOLEMOUNT |
包装方法 | TRAY |
表面贴装 | NO |
高度 | 17.3mm |
长度 | 21.1mm |
物理尺寸 | L21.1XB21.1XH17.3(mm) |
宽度 | 21.1mm |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
包装说明 | ROHSCOMPLIANT |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DF1B-18DEP-2.5RC | HRS | 6300 | 1.600480 |
DF3-7S-2C | HRS | 5000 | 0.230720 |
SPS-91T-250S | JST | 4000 | 0.207000 |
DF14-6S-1.25C | HRS | 3100 | 0.822250 |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 | FUJITSU | 2541 | 10.512740 |
DF1B-7S-2.5R | HRS | 1000 | 0.455400 |
DF1B-10DES-2.5RC | HRS | 900 | 2.329600 |
DF1B-22DES-2.5RC | HRS | 600 | 3.713920 |
DF1B-18DES-2.5RC | HRS | 500 | 3.375680 |
DF62B-3EP-2.2C | HRS | 300 | 1.454880 |