在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| K7812-1000R3 | EVISUN/易成 | 0 | 17 管 | 中国内地：2-7工作日 |
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| K7812-1000R3 | MORNSUN/金升阳 | 0 | 1000 | 中国内地：8-22工作日 |
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| K7812-1000R3L | MORNSUN/金升阳 | 0 | 1000 | 中国内地：8-22工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| 输出电压 | 12V |
| 最大输入电压 | 36V |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Input Voltage-Nom | 24V |
| Output Voltage-Nom | 12V |
| Input Voltage-Max | 36V |
| Input Voltage-Min | 16V |
| Output Voltage-Min | 11.64V |
| Output Voltage-Max | 12.36V |
| Number of Outputs | 1 |
| Surface Mount | NO |
| Trim/Adjustable Output | NO |
| Analog IC - Other Type | DC-DCREGULATEDPOWERSUPPLYMODULE |
| Load Regulation-Max | 0.6% |
| Number of Functions | 1 |
| Technology | HYBRID |
| Temperature Grade | OTHER |
| Total Power Output-Max | 12W |
| JESD-30 Code | R-PSMA-T3 |
| Operating Temperature-Max | 71°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 2.54mm |
| Terminal Position | SINGLE |
| Width | 9mm |
| Length | 11.5mm |
| Seated Height-Max | 17.75mm |
| Package Description | , |
| ECCN Code | EAR99 |
| 标称输入电压 | 24V |
| 标称输出电压 | 12V |
| 最小输入电压 | 16V |
| 最小输出电压 | 11.64V |
| 最大输出电压 | 12.36V |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | NO |
| 微调/可调输出 | NO |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | DC-DCREGULATEDPOWERSUPPLYMODULE |
| 最大负载调整率 | 0.6% |
| 功能数量 | 1 |
| 技术 | HYBRID |
| 温度等级 | OTHER |
| 最大总功率输出 | 12W |
| JESD-30 代码 | R-PSMA-T3 |
| 最高工作温度 | 71°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONICASSEMBLY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 宽度 | 9mm |
| 长度 | 11.5mm |
| 座面最大高度 | 17.75mm |
| 包装说明 | , |
| ECCN代码 | EAR99 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 52584 | 0.417040 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 28851 | 0.333330 |
| SRK2001TR | STM | 20000 | 5.420688 |
| TBD62003AFWG(Z,EHZ | TOSHIBA | 17055 | 2.058101 |
| TL494G-S16-R | UTC | 15955 | 0.633180 |
| L5970D013TR | STM | 12500 | 4.065516 |
| L9333MD-TR | STM | 5000 | 18.068960 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2933 | 0.592800 |
| TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 2000 | 0.410020 |
| L78L05ABD13TR | ST | 961 | 0.346860 |
