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K9F1G08U0C-PCB0T SAMSUNG/三星 0 1 中国内地:4-5周
中国香港:3-4周
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规格参数
内存密度 1.0737Gbit
内存宽度 8
组织 128MX8
标称供电电压 (Vsup) 3.3V
内存集成电路类型 FLASH
其他特性 CONTAINSADDITIONAL32MBITSPAREMEMORY
功能数量 1
字数代码 128000000
字数 134.2177M
工作模式 ASYNCHRONOUS
并行/串行 PARALLEL
编程电压 2.7V
最大供电电压 (Vsup) 3.6V
最小供电电压 (Vsup) 2.7V
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
类型 SLCNANDTYPE
JESD-30 代码 R-PDSO-G48
认证状态 NotQualified
JESD-609代码 e6
湿度敏感等级 3
最高工作温度 70°C
峰值回流温度(摄氏度) 260
端子数量 48
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALLOUTLINE,THINPROFILE
表面贴装 YES
端子面层 TINBISMUTH
端子形式 GULLWING
端子节距 500µm
端子位置 DUAL
座面最大高度 1.2mm
长度 18.4mm
宽度 12mm
包装说明 TSOP1,
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
零件包装代码 TSOP1
针数 48
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