在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KA431AZBU | FAIRCHILD/仙童 | Two Terminal Voltage Reference, 1 Output, 2.495V, Trim/Adjustable, PBCY3 | 367841 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| KA431AZBU | ONSEMI/安森美 | Two Terminal Voltage Reference, 1 Output, 2.495V, Trim/Adjustable, PBCY3 | 88000 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
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| KA431AZBU | ON/安森美 | Two Terminal Voltage Reference, 1 Output, 2.495V, Trim/Adjustable, PBCY3 | 0 | 1 | 中国内地：8-15工作日 中国香港：7-14工作日 |
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| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Transferred |
| Output Voltage-Nom | 2.495V |
| Output Voltage-Min | 2.47V |
| Output Voltage-Max | 2.52V |
| Output Current-Max | 100mA |
| Number of Outputs | 1 |
| Surface Mount | NO |
| Trim/Adjustable Output | YES |
| Analog IC - Other Type | TWOTERMINALVOLTAGEREFERENCE |
| Number of Functions | 1 |
| Technology | BIPOLAR |
| Temp Coef of Voltage-Max | 61.942ppm/°C |
| Temperature Grade | OTHER |
| JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -25°C |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TO-92 |
| Package Equivalence Code | SIP3,.1,50 |
| Package Shape | ROUND |
| Package Style | CYLINDRICAL |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Pitch | 1.27mm |
| Terminal Position | BOTTOM |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Part Package Code | TO-92 |
| Package Description | TO-92,SIP3,.1,50 |
| Pin Count | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Source Content uid | KA431AZBU |
| 生命周期 | Transferred |
| 标称输出电压 | 2.495V |
| 最小输出电压 | 2.47V |
| 最大输出电压 | 2.52V |
| 最大输出电流 | 100mA |
| 输出次数 | 1 |
| 表面贴装 | NO |
| 微调/可调输出 | YES |
| 模拟集成电路 - 其他类型 | TWOTERMINALVOLTAGEREFERENCE |
| 功能数量 | 1 |
| 技术 | BIPOLAR |
| 最大电压温度系数 | 61.942ppm/°C |
| 温度等级 | OTHER |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -25°C |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TO-92 |
| 封装等效代码 | SIP3,.1,50 |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 零件包装代码 | TO-92 |
| 包装说明 | TO-92,SIP3,.1,50 |
| 针数 | 3 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.497250 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.339480 |
| TL494G-S16-R | UTC | 22480 | 0.644160 |
| TL431BQDBZR,215 | NEXPERIA | 9049 | 0.490000 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 6747 | 0.400625 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5569 | 0.543500 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3899 | 0.471625 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |
| PAM2306AYPKE | DIODES INCORPORATED | 85 | 4.048791 |
