在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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KA431SAMFTF | FAIRCHILD/仙童 | Two Terminal Voltage Reference, 1 Output, 2.495V, Trim/Adjustable, PDSO3 | 7052795 | 1 | 中国内地:7-13工作日 中国香港:1-2工作日 |
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KA431SAMFTF | ONSEMI/安森美 | 3408 | 3000 | 中国内地:4-7工作日 |
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KA431SAMFTF | ONSEMI/安森美 | 1462 | 1 卷 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
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规格参数 | |
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生命周期 | Transferred |
标称输出电压 | 2.495V |
最小输出电压 | 2.47V |
最大输出电压 | 2.52V |
最大输出电流 | 100mA |
输出次数 | 1 |
表面贴装 | YES |
微调/可调输出 | YES |
模拟集成电路 - 其他类型 | TWOTERMINALVOLTAGEREFERENCE |
功能数量 | 1 |
技术 | BIPOLAR |
最大电压温度系数 | 61.942ppm/°C |
温度等级 | COMMERCIALEXTENDED |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e3 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 85°C |
最低工作温度 | -25°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP |
封装等效代码 | TO-236 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE,THINPROFILE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 950µm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 1.3mm |
长度 | 2.9mm |
座面最大高度 | 1.14mm |
零件包装代码 | SOT-23F |
包装说明 | TSOP,TO-236 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 3LD,SOT23,FLATLEAD,LOWPROFILE |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.31.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87245 | 0.497250 |
TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 78000 | 0.520520 |
TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 65933 | 0.582920 |
AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 57703 | 0.324720 |
TL494G-S16-R | UTC | 10015 | 0.617320 |
AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 5571 | 0.543500 |
AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 3915 | 0.471625 |
TL431AFDT,215 | 安世(NEXPERIA) | 3022 | 0.496080 |
TL431AIDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 2399 | 0.410020 |
AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |