在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KAD5512P-12Q48 | RENESAS/瑞萨 | 0 | 260 | 中国内地：14-17工作日 中国香港：12-15工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 1.8V |
| Analog Input Voltage-Max | 1.54V |
| Number of Analog In Channels | 1 |
| Linearity Error-Max (EL) | 0.061% |
| Number of Bits | 12 |
| Sample Rate | 125MHz |
| Conversion Time-Max | 8ns |
| Surface Mount | YES |
| Converter Type | ADC,PROPRIETARYMETHOD |
| Analog Input Voltage-Min | -1.54V |
| Number of Functions | 1 |
| Sample and Hold / Track and Hold | SAMPLE |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Output Format | PARALLEL,WORD |
| JESD-30 Code | S-PQCC-N48 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Number of Terminals | 48 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | HVQCCN |
| Package Equivalence Code | LCC48,.27SQ,20 |
| Package Shape | SQUARE |
| Terminal Finish | MatteTin(Sn)-annealed |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | QUAD |
| Width | 7mm |
| Seated Height-Max | 900µm |
| Length | 7mm |
| Source Content uid | KAD5512P-12Q48 |
| Ihs Manufacturer | RENESASELECTRONICSCORP |
| Pin Count | 48 |
| Manufacturer Package Code | L48.7X7E |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | 3A991.C.2 |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | RenesasElectronics |
| Part Package Code | QFN |
| Date Of Intro | 2017-10-26 |
| 标称供电电压 | 1.8V |
| 最大模拟输入电压 | 1.54V |
| 模拟输入通道数量 | 1 |
| 最大线性误差 (EL) | 0.061% |
| 位数 | 12 |
| 采样速率 | 125MHz |
| 最长转换时间 | 8ns |
| 表面贴装 | YES |
| 转换器类型 | ADC,PROPRIETARYMETHOD |
| 最小模拟输入电压 | -1.54V |
| 功能数量 | 1 |
| 采样并保持/跟踪并保持 | SAMPLE |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 输出格式 | PARALLEL,WORD |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-N48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 48 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC48,.27SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 7mm |
| 座面最大高度 | 900µm |
| 长度 | 7mm |
| 零件包装代码 | QFN |
| 针数 | 48 |
| 制造商包装代码 | L48.7X7E |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| ECCN代码 | 3A991.C.2 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74HCT4052PW,118 | NEXPERIA | 6272 | 1.160874 |
| 74LVC1G3157GV,125 | NEXPERIA | 1812 | 0.624750 |
| 74HCT4051PW,118 | NEXPERIA | 1810 | 1.398250 |
| AS179-92LF | SKYWORKS | 493 | 2.049180 |
| 74HC4053BQ,115 | NEXPERIA | 319 | 1.129509 |
| MCP4716A0T-E/CH | MICROCHIP | 93 | 5.785920 |
| STMPS2141STR | STMICROELECTRONICS | 39 | 8.725920 |
| MCP4822-E/SN | MICROCHIP | 20 | 34.073520 |
| MCP4725A0T-E/CH | MICROCHIP | 1 | 8.643600 |
| MAX5137GUE+ | MAXIM | 1 | 32.692800 |
