在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KM4120IT6TR3 | FAIRCHILD/仙童 | Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO6 | 0 | 1 | 中国内地：7-13工作日 中国香港：1-2工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Input Offset Voltage-Max | 5mV |
| Slew Rate-Nom | 40V/us |
| Average Bias Current-Max (IIB) | 3.5µA |
| Supply Current-Max | 620µA |
| Number of Functions | 1 |
| Amplifier Type | OPERATIONALAMPLIFIER |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.7V |
| Technology | BIPOLAR |
| Architecture | VOLTAGE-FEEDBACK |
| Bias Current-Max (IIB) @25C | 3.5µA |
| Frequency Compensation | YES |
| Low-Bias | NO |
| Low-Offset | NO |
| Micropower | YES |
| Power Supplies | 2.5/5V |
| Power | NO |
| Programmable Power | NO |
| Supply Voltage Limit-Max | 6V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Unity Gain BW-Nom | 28000 |
| Voltage Gain-Min | 1800 |
| Wideband | NO |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Common-mode Reject Ratio-Nom | 98dB |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOTSPECIFIED |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOTSPECIFIED |
| Number of Terminals | 6 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | LSSOP |
| Package Equivalence Code | TSOP6,.11,37 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE,SHRINKPITCH |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULLWING |
| Terminal Pitch | 950µm |
| Terminal Position | DUAL |
| Seated Height-Max | 1.45mm |
| Width | 1.6mm |
| Length | 2.9mm |
| Ihs Manufacturer | FAIRCHILDSEMICONDUCTORCORP |
| Part Package Code | SOT-23 |
| Package Description | LSSOP,TSOP6,.11,37 |
| Pin Count | 6 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 |
| HTS Code | 8542.33.00.01 |
| Source Content uid | KM4120IT6TR3 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 最大输入失调电压 | 5mV |
| 标称压摆率 | 40V/us |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 3.5µA |
| 最大压摆率 | 620µA |
| 功能数量 | 1 |
| 放大器类型 | OPERATIONALAMPLIFIER |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7V |
| 技术 | BIPOLAR |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 3.5µA |
| 频率补偿 | YES |
| 低-偏置 | NO |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 电源 | 2.5/5V |
| 功率 | NO |
| 可编程功率 | NO |
| 供电电压上限 | 6V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 标称均一增益带宽 | 28MHz |
| 最小电压增益 | 1800 |
| 宽带 | NO |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 标称共模抑制比 | 98dB |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOTSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOTSPECIFIED |
| 端子数量 | 6 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LSSOP |
| 封装等效代码 | TSOP6,.11,37 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE,LOWPROFILE,SHRINKPITCH |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 950µm |
| 端子位置 | DUAL |
| 座面最大高度 | 1.45mm |
| 宽度 | 1.6mm |
| 长度 | 2.9mm |
| 包装说明 | LSSOP,TSOP6,.11,37 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.33.00.01 |
| 零件包装代码 | SOT-23 |
| 针数 | 6 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| QCPL-7847-500E | 安华高(AVAGO) | 20023 | 31.733254 |
| MC34072G-S08-R | UTC | 12883 | 0.507990 |
| HCPL-7800A-500E | 安华高(AVAGO) | 4805 | 65.107994 |
| TS321ILT | STMICROELECTRONICS | 2663 | 1.133076 |
| TL072CDT | STMICROELECTRONICS | 2180 | 0.795564 |
| ACPL-C790-500E | 安华高(AVAGO) | 423 | 25.167786 |
| TSM103WAIDT | STMICROELECTRONICS | 75 | 3.088284 |
| MCP6561T-E/LT | MICROCHIP | 36 | 3.745842 |
| MCP6001UT-I/OT | MICROCHIP | 13 | 2.560368 |
| LM324DT | ST/意法 | 11 | 2.160000 |
