深圳扬兴科技有限公司(以下简称:YXC),自2010年成立以来,始终专注于时钟频率器件的研发、生产和销售,已成为业界领先的半导体高新技术企业。公司累计研发了40余项拥有自主知识产权的产品和技术,涵盖专利、著作权等,这些成果为公司持续发展奠定了坚实基础。
| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|
| 规格参数 | |
|---|---|
| 电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 不需要 |
| 电流 - 输出(最大值) | 3A,5A |
| 比率 - 输入:输出 | 1:1 |
| 供应商器件封装 | PowerSO-20 |
| 接口 | 开/关 |
| 封装/外壳 | 20-PowerSOIC(0.433",11.00mm 宽) |
| 故障保护 | 开路负载检测,超温 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | L9349 |
| 开关类型 | 通用 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 输出配置 | 低端 |
| 导通电阻(典型值) | 200 毫欧,300 毫欧 |
| 输出类型 | N 通道 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 特性 | 状态标志 |
| 包装 | 管件 |
| 电压 - 负载 | 4.5V ~ 32V |
| 输出数 | 4 |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 标称供电电压 | 12V |
| 驱动器位数 | 4 |
| 断开时间 | 30µs |
| 接通时间 | 25µs |
| 功能数量 | 1 |
| 输出电流流向 | SOURCE |
| 最大输出电流 | 3A |
| 电源 | 4.5/32V |
| 最大供电电压 | 32V |
| 最小供电电压 | 4.5V |
| 表面贴装 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 |
| 认证状态 | NotQualified |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 245 |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 端子数量 | 20 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HSOP |
| 封装等效代码 | SOP20,.56 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALLOUTLINE |
| 端子面层 | MatteTin(Sn)-annealed |
| 端子形式 | GULLWING |
| 端子节距 | 1.27mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 长度 | 15.9mm |
| 座面最大高度 | 3.6mm |
| 宽度 | 11mm |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | HSOP,SOP20,.56 |
| 针数 | 20 |
| 是否符合REACH标准 | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
深圳扬兴科技有限公司(以下简称:YXC),自2010年成立以来,始终专注于时钟频率器件的研发、生产和销售,已成为业界领先的半导体高新技术企业。公司累计研发了40余项拥有自主知识产权的产品和技术,涵盖专利、著作权等,这些成果为公司持续发展奠定了坚实基础。
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?
据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| AP2127K-ADJTRG1 | DIODES INCORPORATED | 87195 | 0.465500 |
| TL494G-S16-R | UTC | 27573 | 0.614880 |
| AZ1117CH-ADJTRG1 | DIODES | 17468 | 0.309960 |
| TL431ACDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 5509 | 1.201250 |
| TL431BQDBZR,215 | 安世(NEXPERIA) | 3846 | 3.830134 |
| AP3012KTR-G1 | DIODES INCORPORATED | 1871 | 0.956325 |
| AP2210K-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 1381 | 0.471625 |
| TL431BIDBZR,215 | NEXPERIA | 391 | 0.588000 |
| AZ1117CH-3.3TRG1 | DIODES INCORPORATED | 254 | 0.543500 |
| ICE2PCS01G | INFINEON | 104 | 5.074734 |