在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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L9857-TR | ST/意法 | High Voltage High-Side Driver | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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生命周期 | Active |
标称供电电压 | 15V |
驱动器位数 | 1 |
断开时间 | 200ns |
接通时间 | 300ns |
接口集成电路类型 | HALFBRIDGEBASEDPERIPHERALDRIVER |
技术 | BCD |
内置保护 | UNDERVOLTAGE |
功能数量 | 1 |
输出电流流向 | SOURCE |
电源 | 15V |
最大供电电压 | 18V |
最小供电电压 | 10V |
表面贴装 | YES |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
认证状态 | NotQualified |
湿度敏感等级 | 1 |
最高工作温度 | 125°C |
最低工作温度 | -40°C |
端子数量 | 8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALLOUTLINE |
端子形式 | GULLWING |
端子节距 | 1.27mm |
端子位置 | DUAL |
长度 | 4.9mm |
座面最大高度 | 1.75mm |
宽度 | 3.9mm |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP,SOP8,.25 |
针数 | 8 |
是否符合REACH标准 | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IRS2004STRPBF | INFINEON/IR | 30000 | 2.101861 |
ACPL-W314-500E | 安华高(AVAGO) | 4250 | 10.981201 |
BM60051FV-CE2 | ROHM(罗姆) | 3000 | 28.892710 |
ZXGD3004E6TA | DIODES INCORPORATED | 2832 | 2.473899 |
IRS2186STRPBF | INFINEON/IR | 2500 | 3.472641 |
ACPL-330J-500E | 安华高(AVAGO) | 558 | 37.382660 |
IRS2103STRPBF | INFINEON | 496 | 4.266255 |
IR4427STRPBF | INFINEON | 467 | 9.082640 |
IR2183STRPBF | INFINEON | 57 | 12.073600 |
IR2130PBF | INFINEON/IR | 26 | 54.831168 |