在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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LA4064V-75TN44E | LATTICE/莱迪斯 | Auto Grade (AEC-Q100 ) ispMACH4064V | 318 | 318 | 中国内地:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 44-TQFP(10x10) |
电源电压 - 内部 | 3V ~ 3.6V |
可编程类型 | 系统内可编程 |
宏单元数 | 64 |
封装/外壳 | 44-TQFP |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | LA4064 |
I/O 数 | 30 |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
延迟时间 tpd(1)最大值 | 7.5ns |
系列 | LA-ispMACH |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 托盘 |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom | 3.3V |
Propagation Delay | 8ns |
Number of Inputs | 30 |
Number of Outputs | 30 |
Number of Macro Cells | 64 |
Number of I/O Lines | 30 |
Programmable Logic Type | EEPLD |
Screening Level | AEC-Q100 |
Temperature Grade | AUTOMOTIVE |
Package Shape | SQUARE |
Technology | CMOS |
Organization | 0DEDICATEDINPUTS,30I/O |
Additional Feature | YES |
Clock Frequency-Max | 168MHz |
In-System Programmable | YES |
JTAG BST | YES |
Output Function | MACROCELL |
Power Supplies | 3.3V |
Supply Voltage-Max | 3.6V |
Supply Voltage-Min | 3V |
JESD-30 Code | S-PQFP-G44 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 125°C |
Operating Temperature-Min | -40°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Terminals | 44 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TQFP |
Package Equivalence Code | TQFP44,.47SQ,32 |
Package Style | FLATPACK,THINPROFILE |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MatteTin(Sn) |
Terminal Form | GULLWING |
Terminal Pitch | 800µm |
Terminal Position | QUAD |
Width | 10mm |
Length | 10mm |
Seated Height-Max | 1.2mm |
Ihs Manufacturer | LATTICESEMICONDUCTORCORP |
Part Package Code | QFP |
Package Description | TQFP-44 |
Pin Count | 44 |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | LatticeSemiconductor |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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74HC14D | NEXPERIA | 35258 | 0.402210 |
74AHCT541PW | NEXPERIA | 30035 | 0.925980 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1247 | 0.869860 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |