在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| LAN8810I-AKZE-TR | MICROCHIP/微芯 | GMII 10/100/1000 ETHERNET TRANSCEIVER | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 72-QFN（10x10） |
| 封装/外壳 | 72-VFQFN 裸露焊盘 |
| 双工 | 完全版 |
| 类型 | 收发器 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 有源 |
| 基本零件编号 | LAN8810 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 2.5V，3.3V |
| 驱动器/接收器数 | 4/4 |
| 协议 | GMII |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 包装 | 带卷（TR） |
| Part Life Cycle Code | Active |
| Supply Voltage-Nom | 1.2V |
| Number of Transceivers | 1 |
| Data Rate | 1Tbps |
| Telecom IC Type | ETHERNETTRANSCEIVER |
| Number of Functions | 1 |
| Power Supplies | 1.2,2.5/3.3V |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-XQCC-N72 |
| JESD-609 Code | e3 |
| Qualification Status | NotQualified |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Screening Level | TS16949 |
| Number of Terminals | 72 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | HVQCCN |
| Package Equivalence Code | LCC72,.39SQ,20 |
| Package Shape | SQUARE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTETIN |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | QUAD |
| Width | 10mm |
| Length | 10mm |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Source Content uid | LAN8810I-AKZE-TR |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Package Description | QFN-72 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| Samacsys Manufacturer | Microchip |
| ECCN Code | EAR99 |
| 标称供电电压 | 1.2V |
| 收发器数量 | 1 |
| 数据速率 | 1Tbps |
| 功能数量 | 1 |
| 电源 | 1.2,2.5/3.3V |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 电信集成电路类型 | ETHERNETTRANSCEIVER |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N72 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 认证状态 | NotQualified |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 筛选级别 | TS16949 |
| 端子数量 | 72 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC72,.39SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTETIN |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 10mm |
| 长度 | 10mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 包装说明 | QFN-72 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 交付时间 | [objectObject] |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| 74LVC1G17SE-7 | DIODES INCORPORATED | 22065 | 0.253250 |
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
| 74LVC1G04GV,125 | NEXPERIA | 2494 | 0.367250 |
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 1249 | 1.110200 |
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 997 | 0.239120 |
| 74HC244D | NEXPERIA | 747 | 1.303900 |
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 743 | 0.159900 |
| 74HC4050D | NEXPERIA | 674 | 0.983320 |
| 74AVC4T245PW | NEXPERIA | 554 | 2.761200 |
| 74LVC1G04SE-7 | DIODES INCORPORATED | 1 | 0.373500 |
