在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
LC4256V-5FTN256BC | LATTICE/莱迪斯 | ispJTAG 3.3V 5ns 256MC 160 I/O | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
---|---|
供应商器件封装 | 256-FTBGA(17x17) |
逻辑元件/块数 | 16 |
电源电压 - 内部 | 3V ~ 3.6V |
可编程类型 | 系统内可编程 |
宏单元数 | 256 |
封装/外壳 | 256-LBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 在售 |
基本零件编号 | LC4256 |
I/O 数 | 160 |
工作温度 | 0°C ~ 90°C(TJ) |
延迟时间 tpd(1)最大值 | 5.0ns |
系列 | ispMACH® 4000V |
安装类型 | 表面贴装 |
包装 | 托盘 |
封装 | FTBGA-256 |
工作电源电压 | 3.3 V |
产品 | ispMACH 4256 |
最大工作频率 | 322 MHz |
最小工作温度 | 0 C |
最大工作温度 | + 90 C |
传播延迟—最大值 | 5 ns |
包装 | Tray |
Part Life Cycle Code | Active |
Supply Voltage-Nom | 3.3V |
Propagation Delay | 5ns |
Number of Inputs | 164 |
Number of Outputs | 160 |
Number of Dedicated Inputs | 4 |
Number of Macro Cells | 256 |
Number of I/O Lines | 160 |
Programmable Logic Type | EEPLD |
Package Shape | SQUARE |
Organization | 4DEDICATEDINPUTS,160I/O |
Architecture | PAD-TYPE |
Clock Frequency-Max | 156MHz |
In-System Programmable | YES |
JTAG BST | YES |
Number of Product Terms | 83 |
Output Function | MACROCELL |
Supply Voltage-Max | 3.6V |
Supply Voltage-Min | 3V |
JESD-30 Code | S-PBGA-B256 |
Qualification Status | NotQualified |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level | 3 |
Operating Temperature-Max | 90°C |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Terminals | 256 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | LBGA |
Package Equivalence Code | BGA256,16X16,40 |
Package Style | GRIDARRAY,LOWPROFILE |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper(Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
Terminal Form | BALL |
Terminal Pitch | 1mm |
Terminal Position | BOTTOM |
Width | 17mm |
Length | 17mm |
Seated Height-Max | 1.55mm |
Ihs Manufacturer | LATTICESEMICONDUCTORCORP |
Part Package Code | BGA |
Package Description | FTBGA-256 |
Pin Count | 256 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8542.39.00.01 |
Samacsys Manufacturer | LatticeSemiconductor |
生命周期 | Active |
标称供电电压 | 3.3V |
传播延迟 | 5ns |
输入次数 | 164 |
输出次数 | 160 |
专用输入次数 | 4 |
I/O 线路数量 | 160 |
可编程逻辑类型 | EEPLD |
封装形状 | SQUARE |
组织 | 4DEDICATEDINPUTS,160I/O |
架构 | PAD-TYPE |
最大时钟频率 | 156MHz |
系统内可编程 | YES |
产品条款数 | 83 |
输出函数 | MACROCELL |
电源 | 3.3V |
最大供电电压 | 3.6V |
最小供电电压 | 3V |
JESD-30 代码 | S-PBGA-B256 |
认证状态 | NotQualified |
JESD-609代码 | e1 |
湿度敏感等级 | 3 |
最高工作温度 | 90°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
端子数量 | 256 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA256,16X16,40 |
封装形式 | GRIDARRAY,LOWPROFILE |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Silver/Copper(Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 17mm |
长度 | 17mm |
座面最大高度 | 1.55mm |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | FTBGA-256 |
针数 | 256 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
当下,存储芯片整体量价齐升。作为半导体行业风向标之一,结合头部厂商最新财报来深度分析,未来存储行业趋势将有何变化?景气市况能否持续?
据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
电子代工ODM行业是消费电子供应链重要组成部分,利润微薄之下行业敏感度异常之高。在当下的时间节点,头部ODM厂商业绩有哪些最新看点?
商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
---|---|---|---|
74HC14D | NEXPERIA | 35258 | 0.402210 |
74AHCT541PW | NEXPERIA | 30035 | 0.925980 |
74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 22541 | 1.264125 |
74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 19865 | 0.239120 |
74AHC1G08GV | NEXPERIA | 8512 | 0.141450 |
74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 |
74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1979 | 0.362625 |
74HC4050D | NEXPERIA | 1247 | 0.869860 |
74HC02D | NEXPERIA | 634 | 0.381300 |
74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 67 | 1.170625 |